高速微處理器芯片的電壓為1.7V低1，必須應用到低的壓力降。

　　約1V的低電壓硅二極管的正向壓降，小馳基二極管的正向電壓約o.45v(低電壓可以作為接近開關作為低o.32v)。低電壓MOSF [新裝置可以通態電阻和非常小的，如irl3102(20v61a)，irf7805和irf7807通態電阻是o.0130，分別為0.009261和o.017d，5A的電流，通過態壓降小于o.1v。具有低的壓力降m05fet和二極管并聯運行，一個低壓降的形成是非常低的高質量的二極管，使低電壓電源的效率，可以為95K高。

　　由于MOSFET的柵極驅動，二極管的正向電壓應與二極管的正向電壓的時間同步。

　　同步裝置或同步整流裝置。圖3 B，5A是典型的降壓型開關變換器主電路的“同步”(當電路沒有VFz，為“普通”的降壓型開關變換器電路)。當VDL是不斷流動的當電壓是打開的，要趕在時間的VF2減少壓降損失。但為了避免VPL和VF2同時在狀態，對短路事故的風險，從自由到VFS傳導過渡，以及從VF2的過渡沃爾夫是打開的，必須要有一個短筒兩不導通時間的區域，被稱為“死亡區”;在死的時候仍然是二極管VDL。VF2開關瞬間，與續流二極管，通過瞬時密切合作，開關速度例如度要求更高，可以用來選擇一個很小的電容irf780 7。